Полупроводниковые материалы - definitie. Wat is Полупроводниковые материалы
Diclib.com
Woordenboek ChatGPT
Voer een woord of zin in in een taal naar keuze 👆
Taal:

Vertaling en analyse van woorden door kunstmatige intelligentie ChatGPT

Op deze pagina kunt u een gedetailleerde analyse krijgen van een woord of zin, geproduceerd met behulp van de beste kunstmatige intelligentietechnologie tot nu toe:

  • hoe het woord wordt gebruikt
  • gebruiksfrequentie
  • het wordt vaker gebruikt in mondelinge of schriftelijke toespraken
  • opties voor woordvertaling
  • Gebruiksvoorbeelden (meerdere zinnen met vertaling)
  • etymologie

Wat (wie) is Полупроводниковые материалы - definitie

СТАТЬЯ-СПИСОК В ПРОЕКТЕ ВИКИМЕДИА

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ         
полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. Используют главным образом кристаллические полупроводниковые материалы (напр., легированные монокристаллы кремния или германия, химические соединения некоторых элементов III и V, II и VI групп периодической системы). Все большее значение приобретают твердые аморфные полупроводниковые вещества и органические полупроводники.
Полупроводниковые материалы         

Полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. В полупроводниковой электронике (См. Полупроводниковая электроника) используют главным образом кристаллические П. м. Большинство из них имеет кристаллическую структуру с тетраэдрической координацией атомов, характерной для структуры Алмаза.

Значительную роль в развитии полупроводниковой техники сыграл Селен: селеновые выпрямители долгое время оставались основными полупроводниковыми приборами, получившими массовое применение.

В начале 70-х гг. 20 в. наиболее распространённые П. м. - Кремний и Германий. Обычно их изготовляют в виде массивных Монокристаллов, легированных различными примесями. Легированные монокристаллы Si с удельным сопротивлением 10-3-104 омсм получают преимущественно методом вытягивания из расплава (по Чохральскому), а легированные монокристаллы Ge с удельным сопротивлением 0,1-45 омсм получают, кроме того, зонной плавкой (См. Зонная плавка). Как правило, примесные атомы V группы периодической системы (Р, As и Sb) сообщают кремнию и германию электронную проводимость, а примесные атомы III группы (В, Al, Ga, In) - дырочную. Si и Ge обычно используют для изготовления полупроводниковых диодов (См. Полупроводниковый диод), Транзисторов, интегральных микросхем и т.д.

Большую группу П. м. составляют химические соединения типа AIII BV (элементов III группы с элементами V группы) - арсениды, фосфиды, антимониды, нитриды (GaAs, InAs, GaP, lnP, InSb, AlN, BN и др.). Их получают различными методами изготовления монокристаллов как из жидкой, так и из газовой фазы. Синтез и выращивание монокристаллов обычно производят в замкнутых сосудах из высокотемпературных химически инертных материалов, обладающих высокой прочностью, поскольку давление насыщенного пара над расплавом таких элементов, как Р и As, сравнительно велико. Примеси элементов II группы придают этим П. м., как правило, дырочную проводимость, а элементов IV группы - электронную. П. м. этой группы используют в основном в полупроводниковых лазерах (См. Полупроводниковый лазер), светоизлучающих диодах (См. Светоизлучающий диод), Ганна диодах, фотоэлектронных умножителях (См. Фотоэлектронный умножитель), в качестве плёночных детекторов излучения в рентгеновской, видимой и инфракрасной областях спектра электромагнитных волн.

П. м. типа AiiBvi из которых наиболее широко применяют соединения ZnO, ZnS, CdS, CdSe, ZnSe, HgSe, CdTe, ZnTe, HgTe, получают преимущественно с помощью химических реакций в газовой фазе или сплавлением компонентов. Удельное сопротивление и тип проводимости этих П. м. определяются не столько легирующими примесями, сколько характерными для них структурными дефектами, связанными с отклонением их состава от стехиометрического (см. Стехиометрия). Использование П. м. этого типа связано главным образом с их оптическими свойствами и фоточувствительностью. Поэтому их применяют в Фоторезисторах, Фотоэлементах, электроннолучевых приборах и приборах ночного видения, модуляторах оптического излучения (см. Модуляция света) и т.д.

К П. м. относят также некоторые аморфные стеклообразные халькогенидные системы, например сплавы Р, As, Sb, Bi с Ge, S, Se, Te, и оксидные системы, например V2O5 - P2O5 - RxOy, где R - металлы I - IV групп, х - число атомов металла и у - число атомов кислорода в окисле. Их используют главным образом в качестве оптических покрытий в приборостроении.

Таблица некоторых физических свойств важнейших полупроводниковых материалов

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

| Элемент, | Наиме- | Ширина | Подвижность | Кристал- | Постоян- | Темпера- | Упругость |

| тип | нование | запрещенной | носителей | лическая | ная | тура | пара при |

| соедине- | материа- | зоны, эв | заряда, 300 K, | структура | решётки, | плавле- | темпера- |

| ния | ла | | см2/(всек) | | | ния, °С | туре плавле- |

| | |---------------------------------------------------------| | | | ния, атм |

| | | при | при 0 К | элек- | дырки | | | | |

| | | 300 К | | троны | | | | | |

|-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| Элемент | С (алмаз) | 5,47 | 5,51 | 1800 | 1600 | алмаз | 3,56679 | 4027 | 10-9 |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | Ge | 0,803 | 0,89 | 3900 | 1900 | типа алмаза | 5,65748 | 937 | |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | Si | 1,12 | 1,16 | 1500 | 600 | " | 5,43086 | 1420 | 10-6 |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | α-Sn | | Полупроводниковые материалы0,08 | | | " | 6,4892 | | |

|-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| IV-IV | α-SiC | 3 | 3,1 | 400 | 50 | типа | 4,358 | 3100 | |

| | | | | | | сфалерита | | | |

|-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| III-V | AISb | 1,63 | 1,75 | 200 | 420 | типа | 6,1355 | 1050 | <0,02 |

| | | | | | | сфалерита | | | |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | BP | 6 | | | | " | 4,538 | >1300 | >24 |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | GaN | 3,5 | | | | типа | 3,186 (по | >1700 | >200 |

| | | | | | | вюртцита | оси a) | | |

| | | | | | | | 5,176 (по | | |

| | | | | | | | оси с) | | |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | GaSb | 0,67 | 0,80 | 4000 | 1400 | типа | 6,0955 | 706 | <4․10-4 |

| | | | | | | сфалерита | | | |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | GaAs | 1,43 | 1,52 | 8500 | 400 | то же | 5,6534 | 1239 | 1 |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | GaP | 2,24 | 2,40 | 110 | 75 | " | 5,4505 | 1467 | 35 |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | InSb | 0,16 | 0,26 | 78000 | 750 | " | 6,4788 | 525 | <4․10-5 |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | InAs | 0,33 | 0,46 | 33000 | 460 | " | 6,0585 | 943 | 0,33 |

| |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| | InP | 1,29 | 1,34 | 4600 | 150 | " | 5,8688 | 1060 | 25 |

|-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| II-VI | CdS | 2,42 | 2,56 | 300 | 50 | типа | 4,16 (по | 1750 | |

| | | | | | | вюртцита | оси a) | | |

| | | | | | | | 6,756 (по | | |

| | | | | | | | оси с) | | |

| |------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| |

| | CdSe | 1,7 | 1,85 | 800 | | типа | 6,05 | 1258 | |

| | | | | | | сфалерита | | | |

| |------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| |

| | ZnO | 3,2 | | 200 | | кубич. | 4,58 | 1975 | |

| |------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| |

| | ZnS | 3,6 | 3,7 | 165 | | типа | 3,82 (по | 1700 | |

| | | | | | | вюртцита | оси a) 6,26 | | |

| | | | | | | | (по оси с) | | |

|-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|

| IV-VI | PbS | 0,41 | 0,34 | 600 | 700 | кубич. | 5,935 | 1103 | |

| |------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| |

| | PbTe | 0,32 | 0,24 | 6000 | 4000 | то же | 6,460 | 917 | |

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

П. м. в широких пределах изменяют свои свойства с изменением температуры, а также под влиянием электрических и магнитных полей, механических напряжений, облучения и др. воздействий. Этим пользуются для создания различного рода Датчиков.

П. м. характеризуются следующими основными параметрами: удельным сопротивлением, типом проводимости, шириной запрещенной зоны, концентрацией носителей заряда и их подвижностью, эффективной массой и временем жизни. Ряд характеристик П. м., например ширина запрещенной зоны и эффективная масса носителей, относительно слабо зависит от концентрации химических примесей и степени совершенства кристаллической решётки. Но многие параметры практически полностью определяются концентрацией и природой химических примесей и структурных дефектов. Некоторые физические свойства важнейших П. м. приведены в таблице.

В электронных приборах П. м. используют как в виде объёмных монокристаллов, так и в виде тонких моно- и поликристаллических слоев (толщиной от долей мкм до нескольких сотен мкм), нанесённых на различные, например изолирующие или полупроводниковые, подложки (см. Микроэлектроника). В таких устройствах П. м. должны обладать определёнными электрофизическими свойствами, стабильными во времени и устойчивыми к воздействиям среды во время эксплуатации. Большое значение имеют однородность свойств П. м. в пределах монокристалла или слоя, а также степень совершенства их кристаллической структуры (плотность дислокаций, концентрация точечных дефектов и др.).

В связи с высокими требованиями к чистоте и совершенству структуры П. м. технология их производства весьма сложна и требует высокой стабильности технологических режимов (постоянства температуры, расхода газовой смеси, продолжительности процесса и т.д.) и соблюдения специальных условий, в частности т. н. полупроводниковой чистоты аппаратуры и помещений (не более 4 пылинок размером свыше 0,5 мкм в 1 л воздуха). Продолжительность процесса выращивания монокристаллов в зависимости от их размеров и вида П. м. составляет от нескольких десятков мин до нескольких сут. При обработке П. м. в промышленных условиях используют процессы резания П. м. алмазным инструментом, шлифовки и полировки их поверхности абразивами, термической обработки, травления щелочами и кислотами.

Контроль качества П. м. весьма сложен и разнообразен и выполняется с помощью специализированной аппаратуры. Основные контролируемые параметры П. м.: химический состав, тип проводимости, удельное сопротивление, время жизни носителей, их подвижность и уровень легирования. Для анализа состава П. м. обычно пользуются оптическими, спектральными, масс-спектроскопическими и активационными методами. Электрофизические характеристики измеряют т. н. зондовыми методами или используют Холла эффект. Совершенство структуры монокристаллов исследуют методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии. Толщину слоев измеряют либо бесконтактными оптическими методами, либо методами сошлифовки слоя.

Лит.: Технология полупроводниковых материалов, пер. с англ., М., 1961; Родо М., Полупроводниковые материалы, пер. с франц., М., 1971; Зи С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., М., 1973; Палатник А. С., Сорокин В. К., Основы пленочного полупроводникового материаловедения, М., 1973; Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ, М., 1973.

Ю. Н. Кузнецов, А. Ю. Малинин.

Полупроводниковые материалы         
Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводника. Удельная электрическая проводимость σ при 300 К составляет 10−4−10−10 Ом−1·см−1 и увеличивается с ростом температуры.

Wikipedia

Полупроводниковые материалы

Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводника. Удельная электрическая проводимость σ при 300 К составляет 10−4- 1010 Ом−1·см−1 и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т. п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей.

Voorbeelden uit tekstcorpus voor Полупроводниковые материалы
1. Но настоящим прорывом в хай-технологиях эксперты называют широкозонные полупроводниковые материалы на основе карбида кремния.
2. В области технологий разрабатываем новые полупроводниковые материалы, новые типы памяти, моделируем современные материалы - на компьютерном уровне, естественно.
3. Расположенный в саксонском Дрездене бывший крупнейший в ГДР завод по производству микросхем сегодня главный производственный центр американской компании AMD, покрывающий весь спрос компании на полупроводниковые материалы.
Wat is ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ - definition